師資
Lars Samuelson 于 1977 年獲得物理學(xué)博士學(xué)位，研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體深能級(jí)電子聲子耦合的實(shí)驗(yàn)和理論研究，隨后在加州 IBM 圣何塞研究中心攻讀博士后，活躍于顯示領(lǐng)域 技術(shù)和能帶結(jié)構(gòu)計(jì)算。 1981 年，他成為隆德大學(xué)物理學(xué)副教授，并于 1986 年成為查爾姆斯/哥德堡大學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)教授。 1988 年，他重返隆德大學(xué)物理系半導(dǎo)體電子學(xué)教授職位，并發(fā)起了跨學(xué)科研究中心納米結(jié)構(gòu)聯(lián)盟（后來(lái)稱為 NanoLund），目前該中心擁有 400 多名研究人員。 自2021年起，他受聘為中國(guó)深圳南方科技大學(xué)（SUSTech）講席教授，并擔(dān)任納米科學(xué)與應(yīng)用研究所（INA）的負(fù)責(zé)人。
2004 年，他成為英國(guó)物理研究所 (FinstP) 會(huì)士，2009 年成為美國(guó)物理學(xué)會(huì)（APS，材料物理學(xué)）會(huì)士，2020 年成為日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì) (JSAP) 國(guó)際會(huì)士。 他于1998年成為英國(guó)皇家物理學(xué)會(huì)會(huì)員，2006年成為瑞典皇家科學(xué)院KVA院士（物理級(jí)），2007年成為瑞典皇家工程科學(xué)院IVA院士。2008年，他被任命為“愛因斯坦教授” ”，中國(guó)科學(xué)院。 2013年，他獲得了2010-2013三年期IUVSTA科學(xué)獎(jiǎng)，并于2014年獲得了Fred Kavli納米科學(xué)杰出講師獎(jiǎng)。 2018年，他因基礎(chǔ)材料科學(xué)創(chuàng)造商業(yè)價(jià)值而獲得威廉·韋斯特魯普獎(jiǎng)。 2022 年，拉爾斯·薩繆爾森被瑞典皇家工程科學(xué)院授予工程科學(xué)最高獎(jiǎng)——大金獎(jiǎng)，“表彰他作為納米科學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域的先驅(qū)研究員和研究領(lǐng)導(dǎo)者以及對(duì)科學(xué)成果的利用所做出的國(guó)際杰出貢獻(xiàn)， 特別是在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域”和“對(duì)納米材料領(lǐng)域的杰出貢獻(xiàn)”。 2023年，拉爾斯·薩繆爾森當(dāng)選“中國(guó)科學(xué)院外籍院士”。
Lars Samuelson 是 QuNano AB、GLO AB、Sol Voltaics AB 和 Hexagem AB 四家致力于納米線和納米材料技術(shù)商業(yè)化的初創(chuàng)公司的創(chuàng)始人和首席科學(xué)家。 Samuelson 是 Web-of-Science 上 700 多篇文章的作者，h 指數(shù)為 91（根據(jù) Google 學(xué)術(shù)搜索，h 指數(shù)為 108），并被列為 Web-of-Science 被引用次數(shù)最多的 1% 的研究人員之一。 在國(guó)際會(huì)議上進(jìn)行超過(guò) 300 次全體會(huì)議/特邀報(bào)告。
教育經(jīng)歷
1977 年，隆德大學(xué)，凝聚態(tài)材料物理學(xué)博士
1972 年，隆德大學(xué)，物理學(xué)碩士
工作經(jīng)歷
2021 - 至今 南方科技大學(xué)講席教授，納米科學(xué)與應(yīng)用研究院院長(zhǎng)；
2024 - 至今 隆德大學(xué)，名譽(yù)教授；
2016 - 2023 隆德大學(xué)，物理系高級(jí)教授；
2003 - 2005 丹麥技術(shù)大學(xué)， 微晶與納米技術(shù)系 (MIC) 副主任；
1988 – 2015 隆德大學(xué)，物理系半導(dǎo)體電子學(xué)教授；
1995 日本國(guó)立研究開發(fā)法人理化學(xué)研究所，客座教授；
1991 加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校，客座教授；
1991 里約熱內(nèi)盧天主教大學(xué)，客座教授；
1986 - 1988 哥德堡大學(xué)/查默斯，半導(dǎo)體物理學(xué)教授；
1979 - 1986 隆德大學(xué)，研究助理；
1977 - 1978 IBM 研究實(shí)驗(yàn)室，博士后；
研究簡(jiǎn)介
材料相關(guān)方向：
復(fù)雜納米材料的設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)；
納米線生長(zhǎng)的新方法；
實(shí)現(xiàn)松弛且無(wú)位錯(cuò)的 InGaN；
物理相關(guān)方向：
深亞波長(zhǎng)尺度光子學(xué)方法；
單量子物體的電光研究；
2D/1D/0D 納米結(jié)構(gòu)中的量子傳輸；
應(yīng)用相關(guān)方向：
用于神經(jīng)科學(xué)研究的基于納米線的探針。
用于光伏應(yīng)用的納米線陣列。
用于固態(tài)照明 (LED) 的納米線陣列。
用于 AR/VR/MR 的亞微米尺寸 InGaN microLED。
所獲榮譽(yù)
2004 年，成為英國(guó)物理研究所 (FInstP) 的研究員；
2006 年，成為瑞典皇家科學(xué)院 院士；
2007 年，成為瑞典皇家工程科學(xué)院 院士；
2008年，被中國(guó)科學(xué)院選為愛因斯坦講席教授；
2009 年，成為美國(guó)物理學(xué)會(huì)（材料物理學(xué)）會(huì)士；
2011 年，榮獲IDEON科學(xué)園創(chuàng)新獎(jiǎng)；
2013 年，被國(guó)際真空科學(xué)，技術(shù)與應(yīng)用聯(lián)盟（IUVSTA）授予2010-2013 三年期科學(xué)獎(jiǎng)；
2014 年，被授予“Fred Kavli 納米科學(xué)杰出講師”；
2018 年，被授予威廉·韋斯特魯普獎(jiǎng)；
2020 年，成為日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)國(guó)際會(huì)士；
2022年，被瑞典皇家工程科學(xué)院授予“大金獎(jiǎng)”；
2023年，獲選中國(guó)科學(xué)院外籍院士；
代表文章
1. "InP Nanowire Array Solar cells Achieving 13.8% Efficiency by Exceeding the Ray Optics Limit", JWallentin, N. Anttu, D. Asoli et al., SCIENCE 339, 1057 (2013)
2. "One-dimensional steeplechase for electrons realized", M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg and L. Samuelson, Nano Lett.2, 87 (2002)
3. "Solid-phase diffusion mechanism for GaAs nanowire growth", A.I. Persson, M.W. Larsson, S.Stenstrom, B.J. Ohlsson, L. Samuelson and L.R. Wallenberg, Nature Materials 3, 677 (2004)
4. "Nanowire-based one-dimensional electronics", C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L.F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B.J. Ohlsson, U. Gosele and L. Samuelson, Materials Today 9, 28 (2006)
5. "Controlled polytypic and twin-plane superlattices in III-VB nanowires", P. Caroff, K.A. Dick, J.Johansson, M.E. Messing, K. Deppert, and L. Samuelson, Nature Nanotechnology 4, 50 (2009)
6. "Synthesis of branched 'nanotrees' by controlled seeding of multiple branching events", K.A. Dick, K. Deppert, M.W. Larsson, T. Martensson, W. Seifert, L.R. Wallenberg and L. Samuelson, Nature Materials 3, 380 (2004)
7. "Optical studies of individual InAs quantum dots in GaAs: few-particle effects", L Landin, MS Miller, ME Pistol, CE Pryor, L Samuelson, Science 280, 262 (1998)
8. "Single quantum dots emit single photons at a time: Antibunching experiments", V Zwiller, H Blom, P Jonsson, N Panev, S Jeppesen, T Tsegaye, ... Applied Physics Letters 78, 2476 (2001)
9. "Nitrogen pair luminescence in GaAs", X Liu, ME Pistol, L Samuelson, S Schwetlick, W Seifert, Applied Physics Letters 56, 1451 (1990)
10. "Continuous gas-phase synthesis of nanowires with tunable properties", M Heurlin, MH Magnusson, D Lindgren, M Ek, LR Wallenberg, K Deppert, ... Nature 492, 90 (2012)
書籍章節(jié)和評(píng)論
1. “Nanowire-Based Visible Light Emitters, Present Status and Outlook”, Invited Book Chapter in Semiconductors & Semimetals, in a volume dedicated to nanowires, Vol 94, Chapter 7, 227-271, Elsevier 2016
2. “Synthesis and Applications of III-V Nanowires”, Invited Review article in Chemical Reviews, Chem.Rev. 119, 9170-9220, American Chemical Society 2019
3. “From nanoLEDs to the realization of RGB-emitting microLEDs”, Invited Book Chapter in Semiconductors & Semimetals, in a volume dedicated to microLEDs, Vol 106, Chapter 7, 223-251, Elsevier 2021
會(huì)議演講
1. Keynote talk at “SPIE Photonic West”, San Francisco, USA, January/February, 2023, Symposium OE603: "Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVII (OE603)": “Directly RGB-emitting microLEDs based on relaxed InGaN templates”
2. Plenary talk at “Industrial microLED Summit”, Shenzhen, April 8, 2023: “On the urge for GaN-based Red microLEDs – and how to solve this”.
3. Plenary talk at “2023 Optics Valley of China JFS Forum and Compound Semiconductor Industry Development Conference”, Wuhan, April 19-21, 2023: “On challenges and opportunities for all-nitride microLEDs down to ultra-small pixels”.
4. Keynote talk at “QUEST – Quantum Engineered Sensing and Information Technology”, Paris, France, June 27-30, 2023: “Realization of InGaN nanoLEDs delivering Blue, Green and Red light”
5. Keynote speaker at “PIERS 2023 – Photonics & Electromagnetics Research Symposium”, Prague, Czech Republic, July 3-6, 2023: “Red-, Green- and Blue-emitting nanoLEDs Based on Relaxed InGaN Templates”.
6. Keynote speaker at “iNOW 2023 – International Nano-Optoelectronics Workshop”, Würzburg, Germany, July 16-27, 2023: “On challenges & opportunities when LEDs “go nano””.
7. Opening Plenary speaker at “IEEE-EMP23 – International Conference on Energy, Materials, and Photonics 2023”, Singapore, August 17-20, 2023: “Nanomaterials Research for GaN-based Optoelectronics Applications”.
8. Plenary speaker at “2023 Maritime Silk Road International Conference on Cooperation and Integration of Industry, Education, Research and Application on Future Display”, Xiamen, China, October 29-30, 2023: “On the strive towards all-InGaN sub-2μm sized RGB Micro-LEDs”
9. Opening Plenary speaker at “2023 China International (Zhengzhou) New Display and Imaging Industry Technology Summit”, Zhengzhou, China, November 30, 2023: “Nanoscience and Nanotechnology as Basis for Industrial Innovation”.
10. Opening Plenary speaker at “International Conference on Display Technology – ICDT2024”, Hefei, China, March 31-April 3, 2024: “On Challenges and Opportunities when microLEDs “go nano””